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可控硅芯片 功率MOSFET管芯片 二极管芯片 快恢复二极管 肖特基二极管

可控硅芯片共包含10大类系列产品：

一、单向可控硅芯片

二、双向可控硅芯片

三、高压单向可控硅芯片

四、高压双向可控硅芯片

五、三象限双向可控硅芯片

六、四象限双向可控硅芯片

七、高压单向软启动可控硅芯片

八、门极灵敏型可控硅芯片

九、电焊机专用可控硅芯片

十、压接式高压单向可控硅芯片


一、单向可控硅芯片

芯片尺寸 正向电流 断态/反向重复峰值电压 门极触发电流 门极触发电压 通态最大浪涌电流 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 通态峰值压降 维持电流 结温范围
mm A V mA V A V/us A/us V mA ℃
2.4*2.4 8 800 ≤20 ≤1.50 90 200 30 1.45 ≤30 -40～125
2.9*2.9 12 800 ≤25
 ≤1.50
 130 200 40 1.45 ≤35
 -40～125
3.2*3.2 16 800 ≤30
 ≤1.50
 175 500 40 1.45 ≤40
 -40～125
3.9*3.9 25 800 ≤35
 ≤1.50
 275 500 40 1.45 ≤50
 -40～125
4.4*4.4 30 800 ≤35
 ≤1.50
 330 500 400 1.45 ≤50
 -40～125
6.4*6.4 55 800 ≤35
 ≤1.50
 460 500 40 1.45 ≤50
 -40～125
6.2*7.3 30 1600 ≤35
 ≤1.50
 520 800 50 1.45 ≤60
 -40～125

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@3XIT。

注5：阳面、阴面金属为银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。



芯片尺寸 正向电流 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流
 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
 管芯尺寸 保护胶颜色
mm A V mA V A V/us A/us V mA ℃ mm
6.8*6.8 20 1100 10-40 ≤1.50 400 ≥800 ≥50 ≤1.30 10-80 -40～125 8.0*8.0 绿色+红色
7.6*7.6 30 1100 20-50 ≤1.50
 600 ≥800
 ≥50
 ≤1.30
 20-100 -40～125
 9.0*9.0 绿色+红色
8.6*8.6 40 1100
 20-50 ≤1.50
 800 ≥800
 ≥50
 ≤1.30
 20-100 -40～125
 10.0*10.0 绿色+红色
9.6*9.6 50 1100
 20-60 ≤1.50
 1000 ≥800
 ≥50
 ≤1.30
 20-100 -40～125
 11.0*11.0 绿色+红色
11.5*11.5 70 1100
 20-60 ≤1.50
 1400 ≥800
 ≥50
 ≤1.30
 25-100 -40～125
 13.0*13.0 绿色+红色
13.8*13.8 100 1100
 20-70 ≤1.50
 2000 ≥1000
 ≥100
 ≤1.30
 25-150 -40～125
 15.0*15.0 绿色+红色
15.0*15.0 120 1100
 30-70 ≤1.50
 2400 ≥1000
 ≥100
 ≤1.30
 30-150 -40～125
 16.0*16.0 绿色+红色
16.5*16.5 150 1100
 30-70
 ≤1.50
 3000 ≥1000
 ≥100
 ≤1.30
 30-150
 -40～125
 18.0*18.0 绿色+红色
19.1*19.1 180 1100
 30-70
 ≤1.50
 3600 ≥1000
 ≥100
 ≤1.30
 30-150
 -40～125
 21.0*21.0 绿色+红色
21.6*21.6 200 1100
 30-70
 ≤1.50
 4000 ≥1000
 ≥100
 ≤1.30
 30-150
 -40～125
 23.0*23.0 绿色+红色

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@3XIT。

注5：阳面、阴面金属为银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。

注7：本系列产品享受发明专利（CN1783516A）。


二、双向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) 门极触发电流IGT(Ⅳ)
 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
 管芯尺寸
 保护胶颜色
mm A V mA mA V A V/us A/us V mA ℃ mm
7.6*7.6 50 800～1200 10-50 30-100 ≤1.50 600 1000 80 ≤1.50 20-100 -40～125 9.0*9.0 红色
9.6*9.6 80 800～1200
 15-50 30-100 ≤1.50
 950 1000 80 ≤1.50
 20-100 -40～125
 11.0*11.0 红色
11.5*11.5 100 800～1200
 15-50 30-100 ≤1.50
 1300 1200 100 ≤1.50
 20-100 -40～125
 13.0*13.0 红色
13.8*13.8 150 800～1200
 30-60 50-120 ≤1.50
 1800 1200 100 ≤1.50
 25-150 -40～125
 15.0*15.0 红色
16.5*16.5 200 800～1200
 30-70 50-140 ≤1.50
 2800 1200 100 ≤1.50
 20-150 -40～125
 18.0*18.0 红色

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@2XIT。

注5：阳面、阴面金属为银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。


三、高压单向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流
 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
 管芯尺寸
 保护胶颜色
mm A V mA V A V/us A/us V mA ℃ mm
6.8*6.8 20 1800 10-40 ≤1.50 440 ≥800 ≥50 ≤1.50 10-80 -40～125 8.0*8.0 白色
7.6*7.6 30 1800 20-50 ≤1.50 660 ≥800 ≥50 ≤1.55 20-100 -40～125 9.0*9.0 白色
8.6*8.6
 40 1800 20-50 ≤1.50
 880 ≥800
 ≥50
 ≤1.55
 20-100
 -40～125
 10.0*10.0 白色
9.6*9.6
 50 1800/2000 20-60 ≤1.50
 1100 ≥800
 ≥50
 ≤1.55
 20-100
 -40～125
 11.0*11.0 白色
11.5*11.5
 70 1800/2000
 20-60 ≤1.50
 1550 ≥800
 ≥50
 ≤1.55
 25-100
 -40～125
 13.0*13.0 白色
13.8*13.8
 100 1800/2000
 20-70 ≤1.50
 2200 ≥1000
 ≥100
 ≤1.55
 25-150
 -40～125
 15.0*15.0 白色
15.0*15.0
 120 1800/2000
 30-70 ≤1.50
 2600 ≥1000
 ≥100
 ≤1.55
 30-150
 -40～125
 16.0*16.0 白色
16.5*16.5 150 1800/2000
 30-70
 ≤1.50
 3300 ≥1000
 ≥100
 ≤1.55
 30-150
 -40～125
 18.0*18.0 白色
19.1*19.1
 180 1800/2000
 30-70
 ≤1.50
 4000 ≥1000
 ≥100
 ≤1.55
 30-150
 -40～125
 21.0*21.0 白色
21.6*21.6 200 1800/2000
 30-70
 ≤1.50
 4500 ≥1000
 ≥100
 ≤1.55
 -0-150
 -40～125
 23.0*23.0 白色

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@3XIT。

注5：阳面、阴面金属为钛镍银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。

注7：本系列产品享有发明专利（CN1783516A）。


四、高压双向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
 门极触发电流IGT(Ⅳ) 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
 管芯尺寸
 保护胶颜色
mm A V mA mA
 V A V/us A/us V mA ℃ mm
7.6*7.6 25 1600/1800 20-50 30-100 ≤1.50 400 1000 100 ≤1.55 20-100 -40～125 9.0*9.0 红色+白色
9.6*9.6
 50 1600/1800 20-60 30-100 ≤1.50
 800 1000
 100
 ≤1.55
 20-100
 -40～125
 11.0*11.0 红色+白色
11.5*11.5
 70 1600/1800
 20-60 30-100 ≤1.50
 1200 1200
 120
 ≤1.55
 20-100
 -40～125
 13.0*13.0 红色+白色
13.8*13.8
 100 1600/1800
 20-70 50-120 ≤1.50
 1650 1200
 120
 ≤1.55
 25-150
 -40～125
 15.0*15.0 红色+白色
16.5*16.5 150 1600/1800
 30-70
 50-140 ≤1.50
 2500 1200
 120
 ≤1.55
 20-150
 -40～125
 18.0*18.0 红色+白色

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@2XIT。

注5：阳面、阴面金属为银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。


五、三象限双向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
mm A V mA V A V/us A/us V mA ℃
1.9*1.9 2 800 ≤15 ≤1.50 20 200 30 ≤1.50 ≤50 -40～125
2.1*2.1 2 800
 ≤15
 ≤1.50
 20 200 30 ≤1.40
 ≤50
 -40～125
2.4*2.4 4 800
 ≤20
 ≤1.50
 40 400 40 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
2.9*2.9 6 800
 ≤30
 ≤1.50
 60 400 40 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
3.2*3.2
 8 800
 ≤30
 ≤1.50
 80 500 40 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
3.5*3.5
 12 800
 ≤35
 ≤1.50
 120 500
 50 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
3.9*3.9
 16 800
 ≤35
 ≤1.50
 160 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
4.4*4.4
 20 800
 ≤35
 ≤1.50
 200 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
5.5*5.5
 26 800
 ≤35
 ≤1.50
 260 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
6.2*7.3
 41 800
 ≤35
 ≤1.50
 420 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
6.2*7.3 30 1600 ≤35
 ≤1.50
 320 550 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@2XIT。

注5：阳面金属层为银，阴面金属层为铝，也可做银。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。


六、四象限双向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
 门极触发电流IGT(Ⅳ)
 门极触发电压
 通态最大浪涌电流
 断态电压临界上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
mm A V mA mA
 V A V/us A/us V mA ℃
1.05*1.05 0.5 800 ≤15 ≤25
 ≤1.50 5 200 30 ≤1.50 ≤50 -40～125
1.3*1.3 0.8 800
 ≤15
 ≤25
 ≤1.50
 8 200 30 ≤1.40
 ≤50
 -40～125
1.5*1.5 1 800
 ≤15
 ≤25
 ≤1.50
 10 200 30 ≤1.50
 ≤50
 -40～125
1.6*1.6 1 800
 ≤15
 ≤25
 ≤1.50
 10 200 30 ≤1.50
 ≤50
 -40～125
1.9*1.9
 2 800
 ≤15
 ≤50
 ≤1.50
 20 200 30 ≤1.50
 ≤50
 -40～125
2.1*2.1
 2 800
 ≤15
 ≤50
 ≤1.50
 20 200
 30
 ≤1.50
 ≤50
 -40～125
2.4*2.4
 4 800
 ≤20
 ≤50
 ≤1.50
 40 200
 40
 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
2.9*2.9
 6 800
 ≤25
 ≤50
 ≤1.50
 60 400
 40
 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
3.2*3.2
 8 800
 ≤25
 ≤50
 ≤1.50
 80 400
 40
 ≤1.50
 ≤60
 -40～125
3.5*3.5
 12 800
 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 120 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
3.9*3.9 16 800 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 160 500 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
4.4*4.4
 20 800
 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 200 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
5.5*5.5 26 800
 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 260 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
6.2*7.3 41 800
 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 420 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125
6.2*7.3 30 1600 ≤35
 ≤100
 ≤1.50
 320 500
 50
 ≤1.50
 ≤120
 -40～125

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@2XIT。

注5：阳面金属为银，阴面金属为铝，也可做银。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。


七、高压单向软启动可控硅芯片

裸片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 断态临界电压上升率
 通态电流临界上升率
 管芯尺寸
 保护胶颜色
mm A V V/us A/us mm
11.5*11.5 70 1600/1800 ≥800 200 13.0*13.0 白色
13.8*13.8 100 1600/1800
 ≥1000
 200
 15.0*15.0 白色
15.0*15.0 120 1600/1800
 ≥1000
 200
 16.0*16.0 白色
16.5*16.5
 150 1600/1800
 ≥1000
 200
 18.0*18.0 白色
19.1*19.1 180 1600/1800
 ≥1000
 200
 21.0*21.0 白色
21.6*21.6 200 1600/1800
 ≥1000
 200
 23.0*23.0 白色

注1：di/dt@125℃@2XIT。其它电参数与HSCRXXA-XX同电流规格相同。

注2：HSCRXXA-XX同电流规格参数。

注3：本系列产品享有发明专利（CN104347686A）。


八、门极灵敏型单向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流 门极触发电压 通态最大浪涌电流 断态电压临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温范围
mm A V mA V A V/us V mA ℃
0.9*0.9 0.5 600/800 10-80 ≤0.80 5 ≥10 ≤1.80 ≤5 -40～110
1.05*1.05 0.8 600/800
 10-80
 ≤0.80
 5 ≥10
 ≤1.80
 ≤5 -40～110
1.5*1.5 2.0 600/800
 10-80 ≤0.80
 20 ≥10
 ≤1.80
 ≤5 -40～110
1.8*1.8 3.5 600/800
 10-80
 ≤0.80
 36 ≥15
 ≤1.80
 ≤5 -40～110
注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@110℃@2/3VDRM。

注3：VTM@3XIT。

注4：阳面金属为银，阴面金属为铝，适用键合工艺。

注5：产品参数及规格可根据客户要求定制。


九、电焊机专用可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流 门极触发电压 通态最大浪涌电流 断态电流临界上升率
 通态峰值压降
 维持电流
 结温
 管芯尺寸 保护胶颜色
mm A V mA V A A/us V mA ℃ mm
9.6*9.6 50 600 20-60 ≤1.50 1000 ≥50 1.25 20-100 -40～125 11.0*11.0 绿色
11.5*11.5 70 600
 20-80 ≤1.50
 1400 ≥50
 1.25
 25-100 -40～125
 13.0*13.0 绿色
13.8*13.8 100 600
 20-80
 ≤1.50
 2000 ≥100
 1.25
 25-150 -40～125
 15.0*15.0 绿色
15.0*15.0 120 600
 30-80 ≤1.50
 2400 ≥100
 1.25
 30-150 -40～125
 16.0*16.0 绿色
16.5*16.5 150 600
 30-80
 ≤1.50
 3000 ≥100
 1.25
 30-150 -40～125
 18.0*18.0 绿色
19.1*19.1 180 600
 30-80
 ≤1.50
 3600 ≥100
 1.25
 30-150 -40～125
 21.0*21.0 绿色
注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@3XIT。

注5：阳面、阴面金属为银，阴面金属可做铝。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。

注7：本系列产品享有发明专利（CN1783516A）。


十、压接式高压单向可控硅芯片

芯片尺寸
 正向电流
 断态/反向重复峰值电压
 门极触发电流 门极触发电压 通态最大浪涌电流 断态临界电压上升率
 通态电流临界上升率
 通态峰值压降 维持电流 结温 保护胶颜色
mm A V mA V A V/us A/us V mA ℃
∅26 150 1600/1800 40-60 ≤1.50 440 ≥1000 ≥100 ≤1.60 40-150 -40～125 白色
∅30
 200 1600/1800
 40-60
 ≤1.50
 660 ≥1000
 ≥100
 ≤1.60
 40-150
 -40～125 白色
∅35
 300 1600/1800
 40-60
 ≤1.50
 880 ≥1000
 ≥100
 ≤1.70
 40-150
 -40～125 白色
∅40
 500 1600/1800
 40-60
 ≤1.50
 1100 ≥1000
 ≥100
 ≤1.80
 40-150
 -40～125 白色
∅45
 800 1600/1800
 40-60
 ≤1.50
 1550 ≥1000
 ≥100
 ≤1.80
 40-150
 -40～125 白色

注1：ITSM@10ms。

注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。

注3：di/dt@125℃@2XIT。

注4：VTM@3XIT。

注5：芯片金属为正铝背银。

注6：产品参数及规格可根据客户要求定制。








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